東芝メモリ株式会社:64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載した業界初[注1]のエンタープライズ向けSSDの開発について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝メモリ株式会社は、業界で初めて[注1]、64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したエンタープライズ向けSSDとして、12Gbit/s SASインターフェースに対応した「PM5シリーズ」と、NVM Express™ (NVMe™)に対応した「CM5シリーズ」を立ち上げ、本日から一部のOEM向けに評価用のサンプル出荷を開始します。2017年第4四半期(10月~12月)以降、順次出荷を拡大していく予定です。



なお、当社3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」を搭載した両シリーズは、8月8日から8月10日までの期間、米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」の当社ブース#417で参考展示およびデモを行います。

「PM5シリーズ」は2.5型フォームファクタに、400GBから 30.72TBまでの容量[注2]に1, 3, 5, 10DWPD(drive write per day)のラインアップをそろえており、大量のデータを高速で取り扱うシステムの効率的な実現を可能とします。また「PM5シリーズ」は、業界初[注3]のMultiLink SASTM(マルチリンクSAS)アーキテクチャを搭載し、通常モードまたはマルチリンクモードでシーケンシャルリード性能最大3350MB/s[注4]、シーケンシャルライト性能最大2720MB/s、およびランダムリード性能最大400,000IOPS[注5]を実現し、SASインターフェースのSSDとしては業界最速[注6]の製品となります。さらにSAS 4ポートマルチリンクを採用することによって、既存のインフラ環境を活用し、PCI EXPRESS® (PCIe®) SSDに近い高性能を実現します。また、「PM5シリーズ」はマルチストリームライト技術を搭載しています。これは、データ属性を基にSSDへのデータ記録位置を仕分け・管理する機能で、ライトアンプリフィケーションを低減し、ガベージコレクションの発生回数を最小化することによって、性能、寿命およびQoS (Quality of Service)の向上を実現します。

「CM5シリーズ」は2.5型とAdd-in Cardタイプのフォームファクタに、800GBから 15.36TBまでの容量に1, 3, 5DWPDのラインアップをそろえており、当社の次世代エンタープライズ向けNVMe SSDとして、デュアルポートPCIe Gen3 x4に対応しています。スキャッターギャザーリスト(SGL)や、コントローラーメモリーバッファ(CMB)機能をサポートし、NVMe over Fabrics環境での利用にも対応しています。また、不揮発メモリ領域(PMR; Persistent Memory Region)機能をオプション提供します。PMR機能では、SSDに搭載されているDRAMの一部をホストシステム側メモリとして利用することで、高価な不揮発DIMM(NV-DIMM)を必要としない、システムメモリの拡張を実現します。これにより、高性能ストレージと不揮発性システムメモリの両方を必要とするシステムを従来より大幅にコストを低減して実現することが可能になります[注7]。さらに、「CM5シリーズ」はランダムリード性能最大800,000IOPS、ランダムライト性能最大240,000IOPS(5DWPDモード時)と220,000IOPS(3DWPDモード時)を消費電力18Wで達成し、高性能と低消費電力を両立した製品となっています。また、「PM5シリーズ」同様、マルチストリームライト技術も搭載しています。

*NVMe、NVM ExpressはNVM Express, Inc.の商標です。
*MultiLink SASは、SCSI Trade Associationの商標です。
*PCI EXPRESSおよびPCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
*その他、本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。

[注1] 2017年8月8日現在、東芝メモリ調べ。
[注2] 記憶容量:1テラバイト(1TB)=1,000ギガバイト(GB)、1GB=1,000,000,000(10の9乗)バイトによる算出値です。しかし、1GB=1,073,741,824(2の30乗)バイトによる算出値をハードディスク容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がハードディスク容量として表示されます。ハードディスク容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
[注3] 2017年8月8日現在、東芝メモリ調べ。
[注4] 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
[注5] IOPS: Input Output Per Second (1秒間に読み書きできる回数)。
[注6] 2017年8月8日現在、東芝メモリ調べ
[注7] ロギング、ジャーナリング、アプリケーションステージングのようなメタデータ処理をNVMe SSDへ一部移行することなどの要求が例としてあげられます。

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